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CMB65R380
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
- 描述
- 该系列器件采用先进的超结技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换及工业电源应用等AC-DC开关电源(SMPS)的要求。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB65R380
- 商品编号
- C18198746
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.641克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 900pF |
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