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APM4536KC-TRL-JSM
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:7A
- 描述
- 适合电池管理系统、AC/DC转换及各类消费电子产品。集成双极性通道，提供优越的开关特性和低导通电阻，确保在正负电压下稳定工作，提升系统效能与节能表现。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- APM4536KC-TRL-JSM
- 商品编号
- C18194359
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
STS3C3F30L采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还适用于众多其他应用。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压VDS = 40V,漏极电流ID = 8.0A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 22mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 31mΩ
- P沟道
- 漏源电压VDS = -40V,漏极电流ID = -7.0A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 35mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 48mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
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