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FDN8601-JSM实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDN8601-JSM

N沟道 耐压:100V 电流:3A

描述
FDN8601 N沟道MOS管,采用节省空间的SOT-23-3L封装形式,专为高功率密度设计。该器件特性优良,支持高达100V的工作电压VDSS,连续电流能力达到5A,并具有竞争力的100mR导通电阻,以实现高效能和低热耗损。广泛应用于电源开关、电机驱动、电池管理系统等场合,凭借其卓越的性能与可靠性,是您优化电路设计、提升系统效能的理想选择。
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
FDN8601-JSM
商品编号
C18194233
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.0391克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)3A
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
输入电容(Ciss)295pF
反向传输电容(Crss)15pF
类型N沟道
输出电容(Coss)40pF

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