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FDN8601-JSM
N沟道 耐压:100V 电流:3A
- 描述
- FDN8601 N沟道MOS管，采用节省空间的SOT-23-3L封装形式，专为高功率密度设计。该器件特性优良，支持高达100V的工作电压VDSS，连续电流能力达到5A，并具有竞争力的100mR导通电阻，以实现高效能和低热耗损。广泛应用于电源开关、电机驱动、电池管理系统等场合，凭借其卓越的性能与可靠性，是您优化电路设计、提升系统效能的理想选择。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- FDN8601-JSM
- 商品编号
- C18194233
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0391克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 295pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度先进沟槽技术制造。这种高密度工艺专门为最小化导通电阻而设计。这些器件特别适用于低电压应用，以及需要在超小外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗的场合。
商品特性
- 100V/3.0A,VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 220mΩ(典型值)
- 100V/2.5A,VGS = 2.5V时,RDS(ON) = 280mΩ(典型值)
- 针对极低RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3L封装设计
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统