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QM3007K-JSM
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
- 描述
- 适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- QM3007K-JSM
- 商品编号
- C18193764
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
CPH3414-TL 是一款 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽工艺制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，并且在非常小尺寸的表面贴装封装中需要低在线功率损耗的场景。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -4.1A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) < 49mΩ
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 65mΩ
- 具备高功率和高电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- 视频监视器