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商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- -30V/-6.5A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) = 36mΩ(典型值)
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 50mΩ(典型值)
- 可靠耐用
- 有无铅环保器件可选(符合RoHS标准)
- 静电防护
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理
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