温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.28Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
- 低 RDS(on)
- 符合RoHS标准且无卤素
商品特性
- 9A、900V,在VGS = 10V时,RDS(on) = 1.0Ω
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改进的dv/dt能力
应用领域
- AC-DC电源
- DC-DC转换器
- H桥PWM电机驱动器