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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2N7002KW

N沟道增强型场效应晶体管

描述
特性:高密度单元设计,实现低RDS(ON)。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力
商品型号
2N7002KW
商品编号
C18164535
商品封装
SOT-323​
包装方式
编带
商品毛重
0.033333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)340mA
导通电阻(RDS(on))3Ω@4.5V,200mA
耗散功率(Pd)200mW
阈值电压(Vgs(th))2.5V@1mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)40pF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)30pF

商品概述

AON6236-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 40V,ID = 50A
  • RDS(ON) < 14mΩ,VGS = 10V

应用领域

  • 电池保护-负载开关-不间断电源

数据手册PDF