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MMDT5451
ESD（静电放电）、TVS（瞬态电压抑制器）、TSS（半导体放电管）、MOV（压敏电阻）、GDT（气体放电管）、PLED（保护发光二极管）
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- 描述
- 特性：外延平面芯片结构。 适用于低功率放大和开关。 包含一个5551（NPN）和一个5401（PNP）
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MMDT5451
- 商品编号
- C17703037
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 160V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 300@10mA,5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV@50mA,5mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |
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