SI4943BDY-T1-E3
2个P沟道 耐压:20V 电流:6.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4943BDY-T1-E3
- 商品编号
- C17697268
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V,8.4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的小信号 P 沟道增强型场效应晶体管（FET），与超低正向压降最大效率通用型（MEGA）肖特基二极管集成于小型无引脚超薄 DFN2020-6（SOT1118）表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
商品特性
- 1.8 V 漏源导通电阻（RDSon），适用于低压栅极驱动
- 小型无引脚超薄 SMD 塑料封装：2×2×0.65 mm
- 外露漏极焊盘，导热性能出色
- 集成超低正向压降 MEGA 肖特基二极管
应用领域
- 便携式设备充电开关
- DC - DC 转换器
- 电池供电便携式设备的电源管理
- 硬盘和计算机电源管理
其他推荐
- SPMWHTL3DA0DF4RTU6
- 629W11W1240-2NB
- TPS24711EVM-004
- XBDAWT-02-0000-00000BFE1
- XTEAWT-00-0000-00000UBF6
- GCM1885G1H2R2BA16J
- SIT8208AI-3F-33E-7.372800X
- B78108S1472K009
- TSD1GH
- TMC5072-EVAL-KIT
- SIT8208AC-8F-33E-33.000000T
- TFC-120-32-L-D-A
- SG-8018CB 18.1059M-TJHSA0
- SWR201-NRTN-S02-HM-BG
- CBC13W3M1S5000/AA
- 532AA000105DGR
- XD16AWT-P0-0000-000000KE2
- SPCM-900-30-BR2
- XBDAWT-00-0000-00000P8E7
- 103-182F
- SCRH127-821