SI4943BDY-T1-E3
2个P沟道 耐压:20V 电流:6.3A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4943BDY-T1-E3
- 商品编号
- C17697268
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的小信号 P 沟道增强型场效应晶体管（FET），与超低正向压降最大效率通用型（MEGA）肖特基二极管集成于小型无引脚超薄 DFN2020-6（SOT1118）表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-负载开关-计算机-游戏系统-电池开关-双节锂离子电池
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