- 引脚图
- 焊盘图
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HN4B102J(TE85L,F)
HN4B102J(TE85L,F)
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- HN4B102J(TE85L,F)
- 商品编号
- C17697046
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 200 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
商品特性
- 由于采用小型薄封装，占用空间小
- 高直流电流增益：PNP hFE = 200至500 (IC = -0.2 A)；NPN hFE = 200至500 (IC = 0.2 A)
- 低集电极 - 发射极饱和电压：PNP VCE (sat) = -0.20 V (最大值)；NPN VCE (sat) = 0.14 V (最大值)
- 高速开关：PNP tf = 40 ns (典型值)；NPN tf = 45 ns (典型值)
应用领域
MOS栅极驱动应用、开关应用
- XPGDWT-H1-0000-00LDT
- TFM-110-31-L-D-A
- XPEBWT-L1-0000-00EZ5
- SG-8018CB 21.7728M-TJHPA0
- 1N4702 TR PBFREE
- SDNT1608X124F4250FTF
- SI47985A0GE1AMR
- 09554666811741
- NXFT15XH103FA1B050
- TFM-120-22-S-D-K
- XUH735150.000000I
- VS-25TTS16STRR-M3
- CDRH10D60BT150NP-1R3NC
- SIT8225AC-3F-18E-25.001200Y
- GCM219R72A273MA37J
- LRC0603CKR15GV001T
- SG-8018CG 118.2720M-TJHSA0
- QTM252J-50.000MBJ-T
- SCDP302G100K4GV001E
- 3FD-248
- TFM-110-02-S-S