MQ2N5115UB/TR
MQ2N5115UB/TR
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MQ2N5115UB/TR
- 商品编号
- C17696873
- 商品封装
- SMD-3P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 3V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 15mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | P沟道 |
商品特性
- 外壳：陶瓷
- 引脚：镀镍底层上镀金。仅商业级提供符合RoHS标准的哑光/镀锡
- 标记：部件编号、日期代码、制造商标识
- 卷带包装选项：符合EIA - 418D标准。具体数量咨询厂家
- 重量：小于0.04克
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