SIHP21N65EF-GE3
1个N沟道 耐压:650V 电流:21A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHP21N65EF-GE3
- 商品编号
- C17696459
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.322nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- 采用E系列技术的快速体二极管MOSFET
- 降低反向恢复时间（trr）、反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复峰值电流（IRRM）
- 低品质因数（FOM）：导通电阻（Ron）乘以栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（Ciss）
- 因反向恢复电荷（Qrr）降低，开关损耗低
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
应用领域
-电信-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-消费电子和计算机-ATX电源-工业-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)-开关电源(SMPS)-采用以下拓扑的应用-LCC-移相桥(ZVS)-三电平逆变器-交直流桥
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