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PJMF280N65E1_T0_00001

1个N沟道耐压:650V 电流:13.8A

品牌名称: PANJIT(强茂)
商品型号: PJMF280N65E1_T0_00001
商品编号: C17695942
商品封装: ITO-220AB-F
包装方式: 管装
商品毛重: 2.612克(g)

商品参数

商品概述

MwT - PH8F是一款AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）器件，其标称栅长为0.25微米，栅宽为1200微米，非常适合在高达18 GHz频率范围内需要高增益和中功率的应用。该器件在宽带或窄带应用中同样有效。芯片采用可靠的金属系统制造，并进行了钝化处理，以确保出色的可靠性。

商品特性

最大漏源导通电阻RDS(ON),栅源电压VGS为10V时:280mΩ
易于使用/驱动
高速开关且漏源导通电阻RDS(ON)低
100%雪崩测试
100%栅极电阻Rg测试
符合欧盟RoHS 2.0的无铅产品
符合IEC 61249标准的环保模塑化合物

应用领域

功率因数校正(PFC)、电视电源、电脑电源、PD充电器、适配器、不间断电源(UPS)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	13.8A
	导通电阻(RDS(on))	280mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	35.7W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	30nC@10V
	输入电容(Ciss)	38pF
	反向传输电容(Crss)	11pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	11pF