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APT45GP120JDQ2实物图
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APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

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商品型号
APT45GP120JDQ2
商品编号
C17695670
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型PT(穿通型)
耗散功率(Pd)329W
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
属性参数值
集电极电流(Ic)75A
栅极阈值电压(Vge(th))3.9V@15V,45A
输入电容(Cies)-
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术,非常适合许多高频、高压开关应用,并且针对高频开关模式电源进行了优化。

商品特性

  • 低传导损耗
  • 800V、16A条件下100kHz运行
  • 低栅极电荷
  • 800V、30A条件下50kHz运行
  • 超快尾电流关断
  • 反向偏置安全工作区额定

数据手册PDF