APT45GP120JDQ2
APT45GP120JDQ2
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT45GP120JDQ2
- 商品编号
- C17695670
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 329W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.9V@15V,45A | |
| 输入电容(Cies) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术,非常适合许多高频、高压开关应用,并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 800V、16A条件下100kHz运行
- 低栅极电荷
- 800V、30A条件下50kHz运行
- 超快尾电流关断
- 反向偏置安全工作区额定
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