SI8261BBA-C-ISR
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 1.2A | |
| 拉电流(IOH) | 500mA | |
| 工作电压 | 6.5V~30V | |
| 上升时间(tr) | 5.5ns | |
| 下降时间(tf) | 8.5ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 1.7mA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
Si826x隔离器是流行的光耦合栅极驱动器的引脚兼容、直接替换升级产品，如0.6 A的ACPL - 0302/3020、2.5 A的HCPL - 3120/ACPL - 3130、HCNW3120/3130等类似光驱动器。这些器件非常适合驱动广泛用于各种逆变器和电机控制应用中的功率MOSFET和IGBT。Si826x隔离栅极驱动器采用了Skyworks Solutions的专有硅隔离技术，根据UL1577标准支持高达5.0 kV_RMS的耐受电压，根据VDE 0884 - 10标准支持10 kV的浪涌保护。与光耦合栅极驱动器相比，该技术可实现更高的性能、减少温度和老化带来的变化、实现更紧密的器件间匹配以及卓越的共模抑制能力。虽然输入电路模拟LED的特性，但所需的驱动电流更少，从而提高了效率。传播延迟时间与输入驱动电流无关，可实现始终较短的传播时间、更紧密的器件间变化以及更大的输入电路设计灵活性。因此，与光耦合栅极驱动器相比，Si826x系列具有更长的使用寿命和显著更高的可靠性。某些产品编号提供汽车级版本。这些产品在制造过程的所有步骤中都采用了汽车专用流程，以确保汽车应用所需的坚固性和低缺陷率。
商品特性
- 与流行的高速光耦合栅极驱动器引脚兼容，可直接替换升级
- 低功耗二极管仿真器简化设计过程
- 0.6和4.0安培峰值输出驱动电流
- 轨到轨输出电压
- 与光驱动器相比，具有性能和可靠性优势
- 抗温度和老化影响
- FIT率低10倍，使用寿命更长
- 器件间匹配精度高14倍
- 更高的共模瞬态抗扰度：典型值>50 kV/μs
- 强大的保护功能
- 多种带迟滞的欠压锁定（UVLO）订购选项（5、8和12 V）
- 60 ns传播延迟，与输入驱动电流无关
- 宽V_DD范围：6.5至30 V
- 高达5000 V_RMS隔离
- 10 kV浪涌耐受能力
- 通过AEC - Q100认证
- 宽工作温度范围：-40至+125 °C
- 符合RoHS标准的封装
- SOIC - 8（窄体）
- DIP8（鸥翼型）
- SDIP6（拉伸SO - 6）
- 提供汽车级产品编号
- 支持AIAG合规的PPAP文档
- 支持IMDS和CAMDS列表
应用领域
- IGBT/MOSFET栅极驱动
- 工业、混合动力汽车和可再生能源逆变器
- 交流、无刷和直流电机控制与驱动
- 消费白色家电中的变速电机控制
- 隔离开关模式和UPS电源