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PMPB12UNE115实物图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

PMPB12UNE115

PMPB12UNE 20V N沟道Trench MOSFET

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描述: N沟道增强型场效应晶体管，采用无引脚中功率DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装塑料封装。
品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: PMPB12UNE115
商品编号: C17694185
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	其他接口

	属性	参数值
	工作温度	-55℃~+150℃

商品概述

N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装于无引脚中功率DFN2020MD-6（SOT1220）表面贴装塑料封装。

商品特性

沟槽MOSFET技术
低阈值电压
外露的漏极焊盘，具有出色的热传导性能
锡镀100%可焊接侧焊盘，便于光学焊接检查
静电放电(ESD)保护 > 1 kV HBM

应用领域

LED驱动器
电源管理
低边负载开关
开关电路

数据手册PDF

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