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PMPB12UNE115

PMPB12UNE 20V N沟道Trench MOSFET

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描述
N沟道增强型场效应晶体管,采用无引脚中功率DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装塑料封装。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PMPB12UNE115
商品编号
C17694185
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录其他接口
属性参数值
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用无引脚中功率DFN2020MD - 6(SOT1220)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

商品特性

  • 沟槽MOSFET技术
  • 低阈值电压
  • 外露漏极焊盘,导热性能出色
  • 镀锡侧焊盘,100%可焊接,便于光学焊锡检查
  • 静电放电(ESD)保护 > 1 kV HBM

应用领域

-LED驱动器-电源管理-低端负载开关-开关电路

数据手册PDF