CMLDM3737 TR PBFREE
2个N沟道 耐压:20V 电流:540mA
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- 品牌名称
- Central(中环)
- 商品型号
- CMLDM3737 TR PBFREE
- 商品编号
- C17693873
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 540mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@4.5V,540mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.58nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 负载开关-计算机-游戏系统-电池开关-双节锂离子电池
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