商品参数
参数完善中
商品特性
- 非反射式50 Ω设计
- 正控制：0 V/3.3 V
- 低插入损耗：8.0 GHz时为0.68 dB
- 高隔离度：8.0 GHz时为48 dB
- 高功率处理：通过路径35 dBm，终止路径27 dBm
- 高线性度：1 dB压缩点（P1dB）典型值37 dBm，输入三阶截点（IIP3）典型值62 dBm
- ESD耐受电压：2 kV人体模型（HBM）
- 3 mm x 3 mm，16引脚LFCSP封装
- 无低频杂散
- 定位时间（RFOUT最终值0.05 dB裕量）：7.5 μs
应用领域
- 测试仪器
- 微波无线电和甚小口径终端 (VSATs)
- 光纤和宽带电信