商品参数
参数完善中
商品特性
- 非反射式50 Ω设计
- 正控制:0 V/3.3 V
- 低插入损耗:8.0 GHz时为0.68 dB
- 高隔离度:8.0 GHz时为48 dB
- 高功率处理:通过路径35 dBm,终止路径27 dBm
- 高线性度:1 dB压缩点(P1dB)典型值37 dBm,输入三阶截点(IIP3)典型值62 dBm
- ESD耐受电压:2 kV人体模型(HBM)
- 3 mm x 3 mm,16引脚LFCSP封装
- 无低频杂散
- 定位时间(RFOUT最终值0.05 dB裕量):7.5 μs
应用领域
- 测试仪器
- 微波无线电和甚小口径终端 (VSATs)
- 光纤和宽带电信
- SI4754-A40-GMR
- 628-5W5-624-3N4
- LQ080Y5DZ03A
- 134-10-952-00-050000
- RU1005JR075CS
- MP1-L-1000-203-5%-RLD
- 511FBA148M000BAGR
- GCM1885C2A8R5BA16D
- BPAL00060630101T00
- SG-8018CB 33.6000M-TJHPA0
- CTSPI2D10F-2R7M
- MLCAWT-U1-0000-000VE7
- 630-2W2-240-2NE
- 516-056-540-551
- AD9513/PCBZ
- TEM-150-02-DH1-S-D-A
- GCM155R71H392MA37D
- 4-794619-8
- FCS-10-SG
- 628-M15-221-BN3
- MIL1812-223J

