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ALD1105SBL

耐压:10.6V

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品牌名称: ALD
商品型号: ALD1105SBL
商品编号: C17692951
商品封装: SOIC-14
包装方式: 管装
商品毛重: 0.13克(g)

商品参数

商品概述

ALD1105是一款单片双N沟道和双P沟道互补匹配晶体管对,适用于广泛的模拟应用。这些增强型晶体管采用Advanced Linear Devices公司的增强型ACMOS硅栅CMOS工艺制造。它在一个封装中集成了一个ALD1116 N沟道MOSFET对和一个ALD1117 P沟道MOSFET对。ALD1105是ALD1103的低漏极电流、低泄漏电流版本。 ALD1105具有高输入阻抗和负电流温度系数。该晶体管对经过匹配,可实现最小失调电压和差分热响应,专为+2V至+10V系统中的精密信号切换和放大应用而设计,这些应用需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。由于这些是MOSFET器件,它们在低频或接近直流的工作环境中具有非常大(几乎无穷大)的电流增益。成对使用时,可以构建一个双CMOS模拟开关。此外,ALD1105还可作为差分放大器输入级、传输门和多路复用器应用的构建模块。 ALD1105适用于需要非常高电流增益(β)的精密应用,如电流镜和电流源。场效应晶体管的高输入阻抗和高直流电流增益使得通过控制栅极的电流损耗极低。直流电流增益受栅极输入泄漏电流的限制,室温下该泄漏电流规定为100pA。例如,在25°C、漏极电流为3mA时,该器件的直流β值 = 3mA / 100pA = 300,000,000。

商品特性

N沟道和P沟道对之间的热跟踪
N沟道和P沟道MOSFET的低阈值电压均为0.7V
低输入电容
低失调电压(Vos)——10mV
高输入阻抗——典型值为10^13Ω
低输入和输出泄漏电流
负电流(IDS)温度系数
增强模式(常开)
直流电流增益为10^9
同一封装内的N沟道和P沟道匹配
符合RoHS标准

应用领域

-精密电流镜-互补推挽线性驱动器-模拟开关-斩波器-差分放大器输入级-电压比较器-数据转换器-采样保持电路-模拟反相器-精密匹配电流源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	10V
	连续漏极电流(Id)	-
	导通电阻(RDS(on))	-
	耗散功率(Pd)	500mW
	阈值电压(Vgs(th))	1.2V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	0℃~+70℃
	类型	N沟道+P沟道
	输出电容(Coss)	-