ALD1105SBL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 10V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- N沟道和P沟道对之间的热跟踪
- N沟道和P沟道MOSFET的低阈值电压均为0.7V
- 低输入电容
- 低失调电压(Vos)——10mV
- 高输入阻抗——典型值为10^13Ω
- 低输入和输出泄漏电流
- 负电流(IDS)温度系数
- 增强模式(常开)
- 直流电流增益为10^9
- 同一封装内的N沟道和P沟道匹配
- 符合RoHS标准
应用领域
-精密电流镜-互补推挽线性驱动器-模拟开关-斩波器-差分放大器输入级-电压比较器-数据转换器-采样保持电路-模拟反相器-精密匹配电流源
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