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EK42520-03引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

EK42520-03

EK42520-03

商品型号
EK42520-03
商品编号
C17692779
包装方式
盒装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
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功能特性-

商品概述

PE42520单刀双掷(SPDT)吸收式射频开关设计用于测试/自动测试设备(ATE)和其他高性能无线应用。这款宽带通用开关在9 kHz至13 GHz频段内保持出色的射频性能和线性度。该开关是PE42552的引脚兼容升级版,在50Ω、8 GHz条件下,连续波(CW)功率处理能力更高,达到36 dBm,瞬时功率为38 dBm。PE42520具有高隔离度、快速建立时间,并采用3×3 mm QFN封装。

PE42520采用pSemi公司的UltraCMOS工艺制造,这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅(SOI)技术的专利变体,兼具砷化镓的性能和经济性与集成度。

商品特性

  • 采用HaRP技术增强
  • 快速建立时间
  • 无栅极和相位滞后
  • 插入损耗和相位无漂移
  • 在50Ω、8 GHz条件下具有高功率处理能力
  • 连续波功率36 dBm
  • 瞬时功率38 dBm
  • 终端端口功率26 dBm
  • 高线性度
  • 三阶交调截点(IIP3)为66 dBm
  • 低插入损耗
  • 在3 GHz时为0.8 dB
  • 在10 GHz时为0.9 dB
  • 在13 GHz时为2.0 dB
  • 高隔离度
  • 在3 GHz时为45 dB
  • 在10 GHz时为31 dB
  • 在13 GHz时为18 dB
  • 静电放电(ESD)性能
  • 射频引脚到地的人体模型(HBM)静电放电电压为4 kV
  • 所有引脚的人体模型(HBM)静电放电电压为2.5 kV
  • 所有引脚的带电器件模型(CDM)静电放电电压为1 kV
  • 16引脚3×3 mm QFN封装

数据手册PDF