商品概述

ALD1105是一款单片双N沟道和双P沟道互补匹配晶体管对，适用于广泛的模拟应用。这些增强型晶体管采用Advanced Linear Devices公司的增强型ACMOS硅栅CMOS工艺制造。它在一个封装中集成了一个ALD1116 N沟道MOSFET对和一个ALD1117 P沟道MOSFET对。ALD1105是ALD1103的低漏极电流、低泄漏电流版本。 ALD1105具有高输入阻抗和负电流温度系数。该晶体管对经过匹配，可实现最小失调电压和差分热响应，专为+2V至+10V系统中的精密信号切换和放大应用而设计，这些应用需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。由于这些是MOSFET器件，它们在低频或接近直流的工作环境中具有非常大（几乎无穷大）的电流增益。成对使用时，可以构建一个双CMOS模拟开关。此外，ALD1105还可作为差分放大器输入级、传输门和多路复用器应用的构建模块。 ALD1105适用于需要非常高电流增益（β）的精密应用，如电流镜和电流源。场效应晶体管的高输入阻抗和高直流电流增益使得通过控制栅极的电流损耗极低。直流电流增益受栅极输入泄漏电流的限制，室温下该泄漏电流规定为100pA。例如，在25°C、漏极电流为3mA时，该器件的直流β值 = 3mA / 100pA = 300,000,000。

商品特性

高阻断电压
高压封装
易于安装
节省空间
高功率密度

应用领域

高压电源
电容放电应用
脉冲电路
激光和 X 射线发生系统

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	4.5kV
	连续漏极电流(Id)	200mA
	导通电阻(RDS(on))	625Ω@10V
	耗散功率(Pd)	113W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	6.5V
	栅极电荷量(Qg)	10.6nC@10V
	输入电容(Ciss)	246pF
	反向传输电容(Crss)	5.8pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道

IXTH02N450HV

商品参数

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