商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 694W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 308nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.43nF |
商品特性
- 功率MOS 7个MOSFET
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 雪崩能量额定值
- 坚固耐用
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接的引线框架
- 内置热敏电阻,用于温度监测
- 高度集成
应用领域
-电机控制-开关模式电源-不间断电源
其他推荐
- SIT8208AI-8F-18E-24.000000X
- CTSPI3D15F-220M
- 330-8744-006
- PS2705A-1-L-A
- SSO32C3A481-100.000M
- TFM-110-32-S-D-A-P
- 25QHM53C0.5-133.300
- 09185646323
- GCM155R71H272MA37D
- EKMB1201112
- 630-36W4240-4N5
- S48SA05006NRFB
- SP1812-823H
- VS-65APS16L-M3
- SF1606G
- SIT1602BI-23-XXE-65.000000
- BHR-16-VUA
- SIP32102EVB
- 165P60
- LCD-020N002A-TGH-JT
- SIT8208AC-2F-28S-20.000000Y