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IRF7420PBF

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRF7420PBF
商品编号: C17691512
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品概述

这些P沟道HEXFET®功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了极低的单位硅片面积导通电阻。这一优势为设计人员提供了一种极为高效的器件，可用于电池和负载管理应用。 SO-8封装通过定制引线框架进行了改进，具有增强的热特性和多芯片封装能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。

商品特性

-超低导通电阻-表面贴装-提供卷带包装-无铅

应用领域

-电池和负载管理应用-各种功率应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	12V
	连续漏极电流(Id)	11.5A
	导通电阻(RDS(on))	26mΩ@1.8V
	耗散功率(Pd)	2.5W
	阈值电压(Vgs(th))	900mV

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	38nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	3.529nF
	反向传输电容(Crss)	656pF
	工作温度	-
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	1.013nF