SIHG40N60E-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:40A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHG40N60E-GE3
- 商品编号
- C17690811
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 329W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 197nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.436nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 208pF |
商品特性
- 低导通电阻。
- 内置栅源（G-S）保护二极管。
- 小型表面贴装封装（SOP8）。
应用领域
- 电源开关
- 直流-直流（DC/DC）转换器
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