商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 320mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 30 | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 电阻比率 | 1 |
商品特性
- 集成偏置电阻减少了所需的外部元件数量,从而有可能减小系统尺寸并缩短组装时间。
- 东芝提供具有广泛电阻值的晶体管,以适应各种电路设计。
- 与TDTA114E互补。
应用领域
- 开关
- 逆变器电路
- 驱动电路
- 633V15622I3T
- MAX40659ETA+
- XPLBWT-00-0000-000HV235G
- SG-8018CB 10.1405M-TJHSA0
- MAX7315EVKIT+
- OCF3HA3B-4.000M-TR
- 8W-26.000MBB-T
- SG-8018CB 19.9998M-TJHSA0
- 621-009-360-553
- 1053093606
- GBPC2501-E4/51
- CTCDRH104RF-2R5
- PA5130.006NLT
- N3440-6303RB
- SG-8018CE 44.1379M-TJHSA0
- SG-8018CA 41.6666M-TJHPA0
- DTC144GUAT106
- SG-8018CE 25.165824M-TJHPA0
- SG-8018CA 23.7500M-TJHSA0
- HF1008R-821H
- SG-8018CE 64.8100M-TJHSA0

