商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 1.6kV | |
| 通态电流(It) | 780A | |
| 通态峰值电压(Vtm) | 1.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 150mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 3V | |
| 保持电流(Ih) | 600mA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品特性
- 重复峰值电压，VRRM、VDRM、VDSM：NTE5551为600V，NTE5553为1600V
- 非重复峰值反向阻断电压，VRSM：NTE5551为700V，NTE5553为1700V
- 平均导通状态电流（半正弦波），IT(AV)：Ths = +55°C（双面冷却）时为390A，Ths = +85°C（单面冷却）时为160A
- 均方根导通状态电流（Ths = +25°C，双面冷却），IT(RMS)为780A
- 连续导通状态电流（Ths = +25°C，双面冷却），IT为668A
- 单周期浪涌峰值（持续10ms，Δ50% VABM重新施加），ITSM (1)为4650A
- 非重复导通状态电流（持续10ms，VR ≤ 10V），ITSM (2)为5120A
- 最大允许浪涌能量（VR ≤ 10V），I²t：10ms持续时间为131000A²s，3ms持续时间为97350A²s
- 峰值正向门极电流（阳极相对于阴极正），IFGM为19A
- 峰值正向门极电压（阳极相对于阴极正），VFGM为18V
- 峰值反向门极电压，VRGM为5V
- 平均门极功率，PG为2W
- 峰值门极功率（100μs脉冲宽度），PGM为100W
- 关断状态电压上升率（至80% VDRM，门极开路），dv/dt为200V/μs
- 导通状态电流上升率，di/dt（门极驱动20V、20Ω，tr ≤ 1μs，阳极电压 ≤ 80% VDRM）：重复为500A/μs，非重复为1000A/μs
- 工作温度范围，Ths为 -40°C至 +125°C
- 储存温度范围，Tstg为 -40°C至 +150°C
- 热阻，结到散热器，Rth(j - hs)（对于具有最大正向压降特性的器件）：双面冷却为0.095°C/W，单面冷却为0.190°C/W
- 峰值导通状态电压（ITM = 840A），VTM为1.75V
- 正向导通阈值电压，V0为0.92V
- 正向导通斜率电阻，r为0.99mΩ
- 重复峰值关断状态电流（在VDRM时），IDRM为20mA
- 重复峰值反向电流（在VRRM时），IRRM为20mA
- 最大门极电流（VA = 6V，IA = 1A，TJ = +25°C），IGT为150mA
- 最大门极电压（VA = 6V，IA = 1A，TJ = +25°C），VGT为3V
- 最大维持电流（VA = 6V，IA = 1A，TJ = +25°C），IH为600mA
- 不会触发任何器件的最大门极电压，VGD为0.25V
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