商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 2mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| FET类型 | N沟道 |
商品概述
NTE456是一款采用TO72封装的N沟道结型硅场效应晶体管，专为通用放大器和开关应用而设计。
其他推荐
- SPMWHTL3DA0GF4VMP6
- THEVA226-4LANE
- FODM3011
- 241-5-36
- SNAP-IAC5
- HTSS-104-01-S-DV
- MHDEWT-0000-000N0HG427G
- 624012213322
- RK102PJ1R8CS
- KB2885SGD
- BLU0805-1400-BT25W
- EHT-106-01-S-D-SM
- 370-80-125-00-001101
- S333025T-26.000-X-R
- SIT1602BC-82-XXN-66.666660
- GCM1885G1H511GA16D
- SIT1602BC-72-18N-66.600000
- 0014442920
- FFA.2S.742.CN
- GP55-5232-FBW
- XHGAWT-00-0000-00000HXF6