HCPL-T250-300E

1.5A输出电流IGBT栅极驱动光耦

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品牌名称: Broadcom(博通)
商品型号: HCPL-T250-300E
商品编号: C17684339
商品封装: DIP-8
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	逻辑输出光耦
	输入类型	DC
	工作电压	15V~30V
	隔离电压(Vrms)	3.75kV
	CMTI(kV/us)	5kV/us
	传输速率	-
	CTR-电流传输比	-
	通道数	-
	工作温度	-20℃~+85℃
	传播延迟 tpLH	500ns

商品概述

HCPL-T250包含砷化镓（GaAs）发光二极管（LED）。该LED与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。此光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）。输出级的高工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V/25 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，HCPL-T250可用于驱动一个分立功率级，该功率级再驱动IGBT栅极。

商品特性

输入阈值电流(IFLH)：最大5 mA；电源电流(ICC)：最大11 mA；电源电压(VCC)：15 - 35 V
输出电流(IO)：最小±0.5 A
开关时间(tPLH / tPHL)：最大0.5 μs
隔离电压(VISO)：最小3750 Vrms
通过UL 1577认证，文件编号E55361
通过CSA认证
通过IEC/EN/DIN EN 60747 - 5 - 2认证，VIORM = 630 V峰值
在Vcm = 1500 V时，最小共模抑制比(CMR)为5 kV/μs
爬电距离：7.4 mm
电气间隙：7.1 mm

应用领域

IGBT/MOSFET栅极驱动
交流/无刷直流电机驱动
工业逆变器
开关模式电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	传播延迟 tpHL	500ns
	输入阈值电流(FH)	5mA
	输出电流	-
	耗散功率(Pd)	-
	输出电压	-
	正向压降(Vf)	1.6V
	直流反向耐压(Vr)	5V
	正向电流(If)	16mA
	功能特性	-