NTE5865

NTE5864至NTE5889是采用DO4封装的硅功率整流二极管，设计具有极低的漏电流和良好的浪涌处理能力。这些器件非常适合用于对经济性、功率能力和可靠性有严格要求的应用。

• 峰值反向电压(PRV)：200V、600V、1200V（根据不同型号）
• 最大正向电流(IF(AV))：30A（在TC=+121℃时）
• 最大正向浪涌电流(IFSM)：300A
• 最大正向电压降(VF)：1.2V（在IO=30A，TC=+25℃时）
• 最大反向电流(IR)：1mA（在+150℃时）
• 熔断电流(I²t)：350A²s（小于8ms）
• 反向雪崩功率：0.16焦耳
• 工作温度范围：-40℃至+175℃
• 存储温度范围：-55℃至+190℃
• 最大热阻，结到外壳(RthJC)：3.0℃/W