- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMV120ENEA215
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他接口 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 开关速度极快
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护 > 2 kV HBM
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路
- WP934AD/GD
- CT5HTF-705
- SIT8209AI-32-18S-100.000000
- SIT1602BC-23-30E-7.372800
- SIT8209AC-81-33S-166.600000
- SIT1602BC-71-18E-7.372800
- SIT9365AC-2B3-33E75.000000
- SIT8208AC-21-33E-33.333330
- SLG59H1006V-EVB
- 5530333F
- 2727R-24J
- 554725-2
- SIT8209AI-23-18S-133.333300
- KAS-700-0152
- SIT8008AC-71-18E-100.000000
- NTE3043
- SIT9365AI-1B2-30E161.132813
- 4-641209-3
- 620AA020M20A
- 516-090-000-410
- SIT1602BI-21-33N-4.000000