PMV120ENEA215
商品参数
参数完善中
商品概述
N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装为小型SOT23（TO-236AB）表面贴装塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 极快的开关速度
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电 (ESD) 保护 > 2 kV HBM
- AEC-Q101 认证
应用领域
- 继电器驱动
- 高速线路驱动
- 低侧负载开关
- 开关电路
优惠活动
购买数量
(1个/袋，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/袋
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐