PMV120ENEA215
商品参数
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| 商品目录 | 其他接口 |
| 属性 | 参数值 | |
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| 功能特性 | - |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 开关速度极快
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护 > 2 kV HBM
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路
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采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
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