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SIZF906ADT-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:52A 电流:27A 电流:60A 电流:60A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZF906ADT-T1-GE3
- 商品编号
- C17682425
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.7nF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 集成肖特基二极管的SkyFET低端MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- CPU核心电源
- 计算机/服务器外设负载点电源
- 同步降压转换器
- 电信DC/DC电源
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