DP8429VX-70

DP8428和DP8429 1M DRAM控制器/驱动器旨在为高达8MB及更大容量的动态随机存取存储器（DRAM）阵列提供“无等待状态”的CPU接口。DP8428和DP8429分别针对32位和16位系统需求进行了优化。这两款器件均采用国家半导体公司全新的氧化物隔离先进低功耗肖特基（ALS）工艺制造，并运用了先进的设计技术，使其在速度、集成度和功耗方面显著优于其他所有大规模集成电路（LSI）或分立器件解决方案。 每款器件都在单个单片器件上集成了以下关键的1M DRAM控制器功能：超精确延迟线；9位刷新计数器；直通式行、列和存储体选择输入锁存器；行/列地址复用逻辑；片上高容性负载行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）、写使能和地址输出驱动器；以及上述所有功能的精确控制信号时序。 DP8429具有四个独立的RAS输出和十个复用地址输出，可支持多达四个64k、256k或1M DRAM存储体。两个存储体选择引脚B1和B0在访问期间进行解码，以激活其中一个RAS信号，使三个未选中的存储体处于待机模式（功耗低于工作功耗的十分之一），数据输出呈三态。DP8428的一个存储体选择引脚B1在访问期间自动启用两个存储体，以为32位微处理器提供最佳接口。 DP8428和DP8429各有两个模式选择引脚，支持两种刷新模式和两种访问模式。刷新和访问时序可通过外部控制或自动控制。自动模式所需的输入控制信号最少。 片上集成了一个刷新计数器，并与行和列输入进行复用。在任何刷新操作期间，其内容会出现在DP8428或DP8429的地址输出端，并在刷新完成时递增。行、列和存储体地址锁存器也集成在片上。但是，如果在整个访问期间DP8428或DP8429的地址输入均有效，则这些锁存器可工作在直通模式。 每款器件均提供52引脚陶瓷双列直插式封装（Ceramic DiP）或低成本JEDEC标准68引脚塑料芯片载体（PCC）封装。

• 使DRAM接口和刷新任务对CPU几乎透明，使DRAM的使用如同静态随机存取存储器（SRAM）一样简便
• 专门设计用于消除高达10MHz或更高频率下CPU的等待状态
• 省去20个分立元件，显著减少电路板面积、节省系统功耗并消除芯片间交流偏斜
• 片上超精确延迟线
• 片上高容性RAS、CAS、写使能（WE）和地址驱动器（可直接驱动88个DRAM）
• 交流特性指标支持直接寻址高达8MB的内存
• 低功耗/高速双极氧化物隔离工艺
• 引脚和功能向下兼容256k DRAM控制器/驱动器DP8409A、DP8417、DP8418和DP8419