EK4152-02

PE4152是一款高线性度的四通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）混频器，集成了本地振荡器（LO）放大器。该LO放大器允许LO输入驱动电平低于0 dBm，以产生与由15 dBm LO驱动的四通道MOSFET阵列相似的三阶截点（IIP3）值。PE4152在射频（RF）和中频（IF）端口上采用差分信号工作，并且集成的LO缓冲放大器驱动混频器核心。它可以作为上变频器或下变频器使用。

PE4152还提供了一个集成的LO放大器旁路选项，为低功耗或增加线性度操作提供了额外的灵活性。旁路的LO放大器相对于启用模式而言，提供了更优的LO到RF和LO到IF隔离水平。

PE4152采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，这是一种专利的绝缘体上硅（SOI）技术，在蓝宝石基板上的变体，它提供了砷化镓（GaAs）的性能，同时具有传统CMOS的成本效益和集成度。

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