APTM120H140FT1G
4个N沟道 耐压:1.2kV 电流:8A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTM120H140FT1G
- 商品编号
- C17678597
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.68Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.812nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品特性
- 8个快速FREDFET功率MOS管
- 低导通电阻RDSon
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速本征反向二极管
- 有雪崩能量额定值
- 坚固耐用
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- 内置用于温度监测的热敏电阻
- 集成度高
- 高频运行时性能卓越
- 可直接安装到散热器上(隔离封装)
- 结到外壳的热阻低
- 电源和信号端子均可焊接,便于PCB安装
- 薄型设计
- 每条支路可轻松并联,以实现电流能力加倍的相支路
- 符合RoHS标准
应用领域
-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电机控制
其他推荐
- P160-273HS
- DSHPXPRAD01X
- BZM55B62-TR3
- APTGT100H60T3G
- 2-1445087-9
- IPT1-106-01-L-D-VS
- 3QHM572C0.5-32.997
- 500S010M15B07
- RSF2B-913-JBW
- RD50M10HEC
- MDM-31PL2M7-A174
- IPL1-103-01-S-D-P
- SIT1602BI-22-XXN-75.000000
- 530CA14M2500DG
- SIT9365AI-2E2-33N61.440000
- CD-HD2006
- 593212121302NF
- 627-M09-220-WT3
- 8D017M26BC
- GCM1555G1H161JA16J
- TFM-105-32-L-D