APTM120H140FT1G
4个N沟道 耐压:1.2kV 电流:8A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTM120H140FT1G
- 商品编号
- C17678597
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.68Ω@10V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.812nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
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