EVSTDRIVEG600DG

STDRIVEG600是一款高速半桥栅极驱动器，经过优化，可驱动高压增强型GaN HEMT。它具有集成的自举二极管，并允许为高达20V的外部开关供电，同时具备针对GaN HEMT定制的欠压保护功能。EVSTDRIVEG600DG板易于使用，可快速适应评估STDRIVEG600驱动650V增强型GaN开关的特性。它提供了一个板载可编程死区时间发生器和一个3.3V线性稳压器，用于为微控制器等外部逻辑控制器供电。还包括备用焊盘，以便为最终应用定制电路板，例如单独的输入信号或单PWM信号、使用可选的外部自举二极管、为VCC、PVCC或BOOT提供单独的电源，以及在峰值电流模式拓扑中使用低端分流电阻。EVSTDRIVEG600DG尺寸为50×70mm，采用FR - 4 PCB，在静止空气中热阻Rth(J - A)为25°C/W。

• 采用半桥拓扑结构，配备600V STDRIVEG600栅极驱动器
• 配备150mΩ、650V HEMT GaN
• GaN采用5×6mm PowerFLAT封装，带有开尔文源极
• 高压总线高达500V
• 栅极驱动器电源电压VCC为4.75~6.5V，受GaN VGS额定值限制
• 板载可调死区时间发生器，可将单PWM信号转换为独立的高端和低端死区时间
• 也可使用带外部死区时间的分离输入
• 板载3.3V稳压器，用于为外部电路供电
• 结到环境热阻为25°C/W，可评估大功率拓扑
• 用于监测GaN功率晶体管栅极的高频连接器
• 可选低端分流器
• 符合RoHS标准