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TT8K11TCR

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属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)71mΩ@3A,10V
属性参数值
功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@1A
栅极电荷(Qg@Vgs)2.5nC@5V
输入电容(Ciss@Vds)140pF@10V
工作温度-

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