ISL78424EVAL3Z

ISL78424EVAL3Z和ISL78434EVAL1Z评估板旨在为评估ISL78424和ISL78434 100V 3A源、4A灌半桥驱动器提供一种快速且全面的方法，用于驱动半桥配置中的两个NMOS FET的栅极。评估板上包含两个N沟道MOSFET，可用于评估半桥驱动负载，如直流电机或同步开关稳压器。ISL784x4系列FET驱动器采用带有散热焊盘的14引脚HTSSOP封装。它们在8V至18V直流电源电压下工作，能够在70V半桥配置中驱动高端N沟道FET。独特的三电平PWM输入（仅ISL78424）允许通过单个输入控制高端和低端栅极驱动器。如果PWM引脚悬空，内部上拉和下拉电阻将PWM引脚偏置到中间电平状态。中间电平状态下，高端和低端灌电流驱动器均激活，以禁用两个MOSFET。这对于需要相位降频的多相DC/DC转换器或在同步DC/DC转换器中实现异步操作非常有益。ISL78434具有独立的HI和LI驱动引脚，用于控制各自的FET输出驱动信号。ISL78434具有输入锁定保护功能，可防止两个驱动器输出同时变为高电平。如果另一个输入已经为逻辑高电平，则驱动器会锁定任何输入逻辑，使其无法传播到该驱动器输出。ISL78424和ISL78434的源极和灌电流驱动器输出采用独立引脚。HO_H和HO_L分别是高端源极和灌电流驱动器。LO_H和LO_L分别是低端源极和灌电流驱动器。独立的源极和灌电流输出引脚允许使用栅极驱动限流电阻优化FET的导通/关断时间。

• 3A源极和4A灌电流NMOS栅极驱动器
• 用于高端FET栅极驱动器的内部电平转换器和自举开关
• 高达70V的高端栅极驱动参考电压
• 8V至18V偏置电源工作
• 单PWM输入，用于高端和低端栅极驱动器，具有三电平以关闭两个驱动器（仅ISL78424）
• 独立的HI和LI输入，用于高端和低端栅极驱动器（仅ISL78434）
• 单电阻可调死区时间，范围为35ns至400ns（仅ISL78424）