H11G3SD
高压光电达林顿光耦合器
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- H11G3SD
- 商品编号
- C17674820
- 商品封装
- SMD-6P
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 正向压降(Vf) | 1.3V | |
| 输出电流 | - | |
| 隔离电压(Vrms) | 5.3kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出通道数 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+100℃ | |
| 功能特性 | 达林顿输出结构 |
商品概述
H11GX系列是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有一个砷化镓红外发射二极管，与一个硅达林顿连接的光电晶体管耦合，该晶体管具有一个集成的基极 - 发射极电阻，以优化高温特性。
商品特性
- 高BVCEO
- H11G1的最小值为100 V
- H11G2的最小值为80 V
- H11G3的最小值为55 V
- 对低输入电流具有高灵敏度，在IF = 1 mA时，电流传输比（CTR）最小为500%
- 高温下漏电流低（80°C时最大为100 μA）
- 获得保险商实验室（UL）认证，文件编号E90700
应用领域
- CMOS逻辑接口
- 电话振铃检测器
- 低输入TTL接口
- 电源隔离
- 替代脉冲变压器
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