DRV5011-5012EVM

超低功耗数字锁存霍尔效应传感器评估模块

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品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: DRV5011-5012EVM
商品编号: C17673710
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	专用传感器

	属性	参数值
	功能特性	低功耗模式；阈值检测/报警功能

商品概述

本用户指南介绍了DRV5011 - 5012EVM评估模块（EVM）的特性、操作和使用方法。该EVM旨在评估DRV5011和DRV5012超低功耗数字锁存霍尔效应传感器的性能。在本文档中，评估板、评估模块和EVM与DRV5011 - 5012EVM同义。本文档包含原理图、参考印刷电路板（PCB）布局和完整的物料清单。DRV5011和DRV5012器件是超低功耗数字锁存霍尔效应传感器。当南极磁极靠近封装顶部且超过B_OP阈值时，器件驱动低电压。输出保持低电平，直到施加北极磁极且超过B_RP阈值，此时输出驱动高电压。需要交替的北极和南极磁极来切换输出，集成的迟滞将B_OP和B_RP分开以提供稳定的开关。DRV5011有SOT23(3)和微型X2SON(4)封装，DRV5012有微型X2SON(4)封装。DRV5011和DRV5012是数字锁存霍尔效应传感器，具有低功耗、小尺寸且易于使用的特点。DRV5011工作在30kHz，而DRV5012有一个额外的SEL引脚，可选择2.5kHz或20Hz的采样速度以节省功率。DRV5011 - 5012EVM由一块PCB组成，可选择切割出七个单独的PCB：三个焊接有DRV5011的样板板、三个焊接有DRV5012的样板板，以及一个可接受微型USB电缆为DRV5011供电并带有一个LED以便于演示和评估的最终板。

商品特性

便于对DRV5011进行演示和评估
通过测试点过孔便于访问DRV5011和DRV5012器件引脚
能够移除小样板板并将其直接连接到空间受限的应用中进行原型评估

数据手册PDF

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