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SIC1181KQ

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品牌名称: Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
商品型号: SIC1181KQ
商品编号: C17673053
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

SIC1181KQ和SIC1182KQ是用于碳化硅（SiC）MOSFET的单通道栅极驱动器。Power Integrations公司创新的固态绝缘FluxLink技术提供了加强型电流隔离。高达±8 A的峰值输出驱动电流使该产品能够驱动标称电流高达600 / 800 A（典型值）的器件。其他特性，如初级侧和次级侧的欠压锁定（UVLO）以及具有温度和工艺补偿输出阻抗的轨到轨输出，即使在恶劣条件下也能保证安全运行。此外，该栅极驱动器IC通过单个感应引脚具备短路保护（在导通阶段及导通期间）以及通过AAC先进有源钳位实现过压限制（在关断阶段）。对于带有电流检测端子的SiC MOSFET，可以实现可调过流检测。单通道SCALE - iDriver™系列SIC118xKQ可驱动阻断电压高达1200 V的SiC MOSFET半导体器件，并在控制器和半导体器件之间提供加强型隔离。通过IN施加的逻辑输入（PWM）命令信号和通过VCC提供的初级电源电压均以GND为参考。通过SO监控半导体器件和SCALE - iDriver的工作状态。命令信号通过FluxLink隔离技术从初级侧（IN）传输到次级侧。GH在导通过程中提供正栅极电压并对半导体栅极充电。GL在关断过程中提供负栅极电压并对栅极放电。通过在SNS和半导体器件的漏极端子之间连接一个网络，可以实现短路保护和过压限制。在导通事件中，SNS检测短路，这将导致驱动器启动关断，以保护半导体器件免受短路损坏。在关断事件中，SNS检测关断过电压，并通过AAC先进有源钳位将其限制在半导体器件阻断电压以下的安全值。如果半导体器件提供电流检测端子，则可以实现可调过流检测，作为短路监测的替代方案。

商品特性

±8 A峰值栅极输出电流
集成FluxLink™技术，提供加强型隔离
针对SiC MOSFET优化的先进有源钳位
超快速短路检测
初级侧和次级侧欠压锁定
轨到轨稳定输出电压
次级侧单极性电源电压
高达150 kHz开关频率
传播延迟抖动±5 ns
-40 ℃至+125 ℃工作环境温度
高共模瞬态抗扰度
爬电距离和电气间隙为9.5 mm的eSOP封装，CTI 600
初级侧和次级侧欠压锁定保护，包括故障反馈
针对带有电流检测端子的SiC MOSFET的过流检测
超快速短路监测、关断和报告
SiC MOSFET关断期间的过压限制
100%生产局部放电测试
100%生产8000 V峰值1 s耐压测试
加强型绝缘，VDE V 0884 - 17待认证
UL 1577认证
符合汽车级1级AEC Q - 100标准
无卤且符合RoHS标准

应用领域

电动汽车（BEV）牵引驱动器
插电式混合动力汽车（PHEV）牵引驱动器
电动汽车车载和非车载充电器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	7.3A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	7.8A
	上升时间(tr)	475ns
	下降时间(tf)	447ns
	工作温度	-40℃~+125℃