HN1C03F-B(TE85L,F)

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品牌名称: TOSHIBA(东芝)
商品型号: HN1C03F-B(TE85L,F)
商品编号: C17671606
商品封装: SC-74(SOT-457)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.044克(g)

商品参数

商品概述

该产品为东芝的硅NPN外延型晶体管（PCT工艺），型号为HN1C03F，用于静音和开关应用。采用SM6封装（6引脚超小型），包含两个器件。具有高发射极 - 基极电压（VEBO = 25V最小值）、高反向hFE（反向hFE = 150典型值，ΔVCE = -2V，Ic = -4mA）、低导通电阻（ΩON = 1Ω典型值，IB = 5mA）的特点。重量为0.015g（典型值）。

商品特性

采用SM6封装，包含两个器件
高发射极 - 基极电压：VEBO = 25V（最小值）
高反向hFE：反向hFE = 150（典型值，ΔVCE = -2V，Ic = -4mA）
低导通电阻：ΩON = 1Ω（典型值，IB = 5mA）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	三极管(BJT)
	晶体管类型	NPN
	集电极电流(Ic)	300mA
	集射极击穿电压(Vceo)	20V
	耗散功率(Pd)	300mW
	直流电流增益(hFE)	350

	属性	参数值
	特征频率(fT)	30MHz
	集电极截止电流(Icbo)	100nA
	集射极饱和电压(VCE(sat))	100mV
	工作温度	-
	射基极击穿电压(Vebo)	25V
	数量	2个NPN