TC58BYG1S3HBAI4
TC58BYG1S3HBAI4
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- 描述
- TC58BYG1S3HBAI4是一款2 Gbit (256M × 8 bit) CMOS NAND E2PROM,具有2112字节的静态寄存器,支持高密度非易失性数据存储。该器件具有ECC逻辑,可纠正每个528字节中的8位读错误。
- 品牌名称
- KIOXIA(铠侠)
- 商品型号
- TC58BYG1S3HBAI4
- 商品编号
- C17671495
- 商品封装
- TFBGA-63(9x11)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.622克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 写周期时间(Tw) | 25ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 25ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 3.5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 50uA | |
| 擦写寿命 | - | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能;读缓存功能;ECC纠错功能;软件复位功能;复制回写功能 |
- DAM11W1PLK87
- SHF-115-01-S-D-SM-LC
- 6002-0-19-01-15-14-10-0
- 3201301
- LCD2041-GW
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- MIL1812-273J
- RCS1005F1R65CS
- GCM0335C1ER39BA16D
- SG-8018CG 29.9710M-TJHPA0
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- ZSS-105-02-L-D-570
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