- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN2024UDH-7
2个N沟道 耐压:20V 电流:5.2A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2024UDH-7
- 商品编号
- C17670317
- 商品封装
- UDFN3030-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.76W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 647pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-静电放电保护栅极-完全无铅且符合RoHS标准-无卤和无锑,“绿色”器件
应用领域
-高效电源管理应用
- QSCF201Q4R7A1GV001T
- EA DOGM128W-6
- BAS116-AU_R1_000A1
- 3QHM572C0.125-23.600
- 09570000020000
- 502FG1K
- 5530004811F
- 5922424302NF
- SIT8920BM-22-33E-4.000000
- SIT8208AI-GF-18S-25.000000Y
- 170-40-640-00-001000
- SG-8018CB 14.4000M-TJHSA0
- SIT1602BC-33-28E-77.760000
- PDB183-GTR03-253A2
- SP1812-223H
- RC0603F1874CS
- 630W17W2340-2N3
- SPMWHT32BMD3YBTKS0
- RSF1A-432-JBW
- 56AAD-C28-B15/R81L
- RN1411,LXHF