商品参数
| 属性 | 参数值 | |
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| 商品目录 | 其他模块 | |
| 类型 | 电源管理 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
这款开发板采用单片半桥拓扑结构，板载栅极驱动器，配备 EPC2106 eGaN（增强型氮化镓）集成双 FET。这些开发板的目的是简化 eGaN FET 的评估过程，将所有关键组件集成在一块板上，可轻松连接到任何现有的转换器中。开发板尺寸为 2 英寸×1.5 英寸，包含一个双集成 eGaN FET，采用德州仪器 LM5113 栅极驱动器以半桥配置连接，还有电源和旁路电容。该板包含所有关键组件和布局，以实现最佳开关性能。此外，还有各种探测点，便于进行简单的波形测量和效率计算。
商品特性
- 采用单片半桥拓扑结构，板载栅极驱动器
- 配备 EPC2106 eGaN 集成双 FET
- 尺寸为 2 英寸×1.5 英寸
- 包含德州仪器 LM5113 栅极驱动器
- 有各种探测点便于波形测量和效率计算
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