ALD810023SCL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10.6V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.32V@1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于： 电源管理功能 直流-直流转换器
- 背光照明
商品特性
- 额定温度高达+175°C，适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关，确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻RDS(ON)，最大限度降低功率损耗
- 低栅极电荷Qg，最大限度降低开关损耗
- 无铅镀层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 电源管理功能-直流-直流转换器-背光照明
相似推荐
其他推荐