SI4943CDY-T1-E3
2个P沟道 耐压:20V 电流:8A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4943CDY-T1-E3
- 商品编号
- C17668584
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.2mΩ@10V,8.3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.945nF@10V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃@(Tj) |
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