商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 600V | |
| 通态电流(It) | 315A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通态峰值电压(Vtm) | 2.1V | |
| 门极触发电流(Igt) | 150mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 3V | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
爬电距离最小0.34英寸(8.64毫米),击穿距离最小0.26英寸(6.60毫米)(符合NEMA标准)。表面处理为镀镍。大约重量2.3盎司(66克)。尺寸“H”为夹紧尺寸。
商品特性
- 中心触发动态门极
- 具有软门极控制的高电流变化率
- 高频操作
- 正弦波形操作可达20kHz
- 矩形波形操作可达20kHz
- 低动态正向压降
- 高频下低开关损耗
应用领域
不间断电源逆变器、感应加热、电机控制、斩波器、撬棒电路
- TCET1100G
- SLG59M1639V-EVB
- 516-090-500-300
- 25QHM572C0.25-36.864
- 4301.6206
- SCN8547VTAQGD
- 714-83-160-41-001101
- 26-03-3101
- A-DS 09 PP-WP
- XG4A-2639-A
- MM126054
- SIT8208AC-3F-28E-75.000000X
- 627-M25-220-BT1
- XPGDWT-BS-0000-00M5E
- JAN1N1188R
- TFM-107-01-S-S-A
- DD104S100E2S/AA
- SIT8208AC-83-28E-32.768000
- SG-8018CG 164.571429M-TJHSA0
- DF11-32DP-2DS(52)
- RSSD50373C22R0JB01

