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GT50JR21(STA1,E,S)引脚图
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  • 焊盘图

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GT50JR21(STA1,E,S)

GT50JR21(STA1,E,S)

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品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
GT50JR21(STA1,E,S)
商品编号
C17668243
商品封装
SC-65-3​
包装方式
管装
商品毛重
6.771克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型-
耗散功率(Pd)230W
集射极击穿电压(Vces)600V
集电极电流(Ic)50A
栅极阈值电压(Vge(th))-
属性参数值
开启延迟时间(Td(on))-
关断延迟时间(Td(off))-
导通损耗(Eon)-
关断损耗(Eoff)-
工作温度-

商品特性

  • 第六代半产品
  • RC - IGBT由集成在IGBT芯片中的续流二极管(FWD)组成
  • 增强模式
  • 高速开关 IGBT:关断时间tf = 0.08 μs(典型值)(集电极电流IC = 50 A);FWD:反向恢复时间trr = 0.35 μs(典型值)(正向电流IF = 15 A)
  • 低饱和电压:集射极饱和电压VCE(sat) = 1.45 V(典型值)(IC = 50 A)
  • 高结温:结温Tj = 175℃(最大值)

应用领域

电流谐振逆变器开关应用

数据手册PDF