商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 110V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 42.1pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.22pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 12.9pF |
商品特性
- 易于功率控制
- 集成双面ESD保护,可实现C类操作并完全关断晶体管
- 出色的耐用性
- 高效率
- 优异的热稳定性
- 专为宽带操作设计(HF至1000 MHz)
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 广播发射机应用
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