商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.75pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
-具备串联等效大信号阻抗参数特性-内部匹配,使用方便-最高可在32 VDD电压下正常工作-集成ESD保护功能-专为降低记忆效应和宽瞬时带宽应用而设计-符合RoHS标准-采用卷带包装。后缀R3表示每盘32 mm、13英寸的卷带包含250个元件。
应用领域
- 开关应用
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